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存儲控制芯片行業(yè)技術(shù)核心、市場規(guī)模與競爭格局

1、存儲控制芯片行業(yè)概況

存儲控制芯片是存儲產(chǎn)品的“大腦”，承擔中樞控制核心作用：一方面前承存儲接口處理主機指令，控制NANDFlash存儲單元的電能存儲與釋放以實現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫擦除，還可作為“中央轉(zhuǎn)換器”適配不同存儲協(xié)議，降低存儲顆粒開發(fā)難度；另一方面通過壞區(qū)識別與數(shù)據(jù)糾錯，彌補NAND因立體堆疊技術(shù)產(chǎn)生的瑕疵，適配不同品質(zhì)顆粒以提升存儲產(chǎn)品性能、良率及價值；同時通過均衡擦寫與讀寫調(diào)度，平衡存儲單元負荷，延長存儲顆粒使用壽命。

2、存儲控制芯片的市場空間

據(jù)統(tǒng)計，2022年度存儲控制芯片市場規(guī)模約45億美元，其中NANDFLASH存儲顆粒廠的存儲控制芯片市場份額約23億美元，占比51%；第三方存儲控制芯片廠商的市場份額為22億美元，占比49%。預(yù)計到2027年存儲控制芯片的市場規(guī)模約59億美元，市場規(guī)模的復(fù)合增長率為5.37%，整體呈持續(xù)上升趨勢，具體如下圖所示：

2022-2027年度存儲控制芯片市場規(guī)模

資料來源：普華有策

3、存儲控制芯片行業(yè)的未來發(fā)展趨勢

（1）數(shù)據(jù)爆發(fā)驅(qū)動存儲市場需求持續(xù)擴張

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等新興信息技術(shù)的快速發(fā)展以及傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速，全球數(shù)據(jù)總量呈現(xiàn)指數(shù)級增長態(tài)勢。預(yù)測至2028年全球數(shù)據(jù)總量將達到393.8ZB，較2018年水平實現(xiàn)9.8倍的顯著增長；2024-2028年間產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將至少達到過去十年（2014-2023）數(shù)據(jù)總量的2.2倍，約為過去五年（2019-2023）數(shù)據(jù)總量的2.9倍。

作為數(shù)據(jù)存儲的核心載體，存儲器在實現(xiàn)數(shù)據(jù)價值方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其中，NANDFlash憑借其在大容量非易失性存儲領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，已成為當前主流的存儲解決方案，為大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲提供了高性價比的技術(shù)路徑。作為NANDFlash存儲系統(tǒng)的核心組件，存儲控制芯片將隨著數(shù)據(jù)存儲需求的持續(xù)增長而迎來廣闊的市場發(fā)展空間。

（2）國產(chǎn)化進程為存儲控制芯片企業(yè)創(chuàng)造戰(zhàn)略機遇

當前國際競爭格局日趨復(fù)雜，推進集成電路產(chǎn)業(yè)"自主、安全、可控"發(fā)展已成為國家信息安全戰(zhàn)略的重要支柱。全球NANDFlash存儲顆粒市場呈現(xiàn)高度集中特征，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技和SK海力士五大廠商合計占據(jù)超過90%的市場份額。

在國家集成電路產(chǎn)業(yè)政策的持續(xù)推動下，我國存儲產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程顯著提速。以長江存儲為代表的本土存儲顆粒制造企業(yè)正快速縮小與國際領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距，為構(gòu)建國產(chǎn)自主可控的存儲產(chǎn)業(yè)鏈奠定了堅實基礎(chǔ)。隨著長江存儲等企業(yè)在3DNAND技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進展，我國存儲產(chǎn)業(yè)正迎來自主可控發(fā)展的關(guān)鍵機遇期。這一趨勢將為存儲控制芯片等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的國產(chǎn)廠商創(chuàng)造重大發(fā)展機遇，推動形成完整的存儲產(chǎn)業(yè)自主可控生態(tài)體系。

（3）存儲技術(shù)演進對控制芯片提出更高要求

存儲控制芯片通過精確調(diào)控存儲顆粒中存儲單元的電荷存儲與釋放過程來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除功能。為實現(xiàn)更高的存儲密度，存儲顆粒技術(shù)持續(xù)向更高制程和更復(fù)雜結(jié)構(gòu)演進，主要體現(xiàn)在兩個維度：其一是在二維平面上增加存儲單元的堆疊層數(shù)（如從SLC發(fā)展到MLC、TLC、QLC，對應(yīng)單單元存儲容量分別為1bit、2bit、3bit和4bit）；其二是在三維空間實現(xiàn)立體堆疊（3DNAND技術(shù)），從而顯著提升單位晶圓的存儲密度。

然而，存儲密度的持續(xù)提升也帶來了技術(shù)挑戰(zhàn)：數(shù)據(jù)錯誤率和丟失概率顯著增加，存儲單元的使用壽命大幅縮短。以QLC架構(gòu)為例，雖然其單單元存儲容量達到SLC的4倍，但使用壽命僅為SLC的1%，且對數(shù)據(jù)糾錯能力的要求從1-4bit大幅提升至288bit。這些技術(shù)挑戰(zhàn)對存儲控制芯片提出了更高要求，包括更精準的壞區(qū)管理、更強大的數(shù)據(jù)糾錯能力以及更優(yōu)化的均衡擦寫算法，對芯片設(shè)計能力和固件算法優(yōu)化都帶來了新的技術(shù)考驗。

4、行業(yè)競爭格局

（1）存儲顆粒原廠及第三方存儲控制芯片廠商各占行業(yè)半壁江山

目前全球存儲控制芯片廠商可分為兩類，一類為存儲顆粒原廠自研自用主控廠商，一類為獨立第三方主控廠商。存儲顆粒原廠自研自用的存儲控制芯片搭配自有的存儲顆粒直接加工為自有品牌模組產(chǎn)品出售，一般不單獨對外出售，存儲顆粒原廠主要包括三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、SK海力士等。獨立第三方主控廠商通常單獨對外出售存儲控制芯片，主要包括美滿電子、群聯(lián)電子、慧榮科技、三地一芯、安國科技、點序科技、聯(lián)蕓科技等。其中，群聯(lián)電子既向市場出售主控芯片，同時也外采存儲顆粒搭配自身主控芯片形成自有品牌模組進行出售，形成“主控+模組”的運營模式。

（2）第三方存儲控制芯片廠商中，境外廠商美滿電子、慧榮科技、群聯(lián)電子綜合市場占有率行業(yè)領(lǐng)先

存儲控制芯片按產(chǎn)品類型可分為移動存儲控制芯片、固態(tài)硬盤存儲控制芯片和嵌入式存儲控制芯片。美滿電子、慧榮科技、群聯(lián)電子屬于顯著領(lǐng)先的第一梯隊，三家廠商占第三方存儲控制芯片廠商的份額合計約90%，產(chǎn)品覆蓋面廣，在各主要細分產(chǎn)品線均有產(chǎn)品布局，且占據(jù)各主要行業(yè)應(yīng)用的高端存儲主控市場。

近年來，境內(nèi)逐漸涌現(xiàn)出一批優(yōu)秀的存儲控制芯片廠商，盡管在高端應(yīng)用場景及整體市場份額上與國際領(lǐng)先的廠商還有一定差距，但在部分細分產(chǎn)品的性能和指標上已經(jīng)達到行業(yè)領(lǐng)先水平，部分產(chǎn)品出貨量和占比快速提高。

行業(yè)內(nèi)企業(yè)主要包括安國科技、點序科技、慧榮科技、得一微、芯邦科技等。

行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)基本情況

資料來源：普華有策

《2025-2031年存儲控制芯片行業(yè)細分市場調(diào)研及投資可行性分析報告》涵蓋行業(yè)全球及中國發(fā)展概況、供需數(shù)據(jù)、市場規(guī)模，產(chǎn)業(yè)政策/規(guī)劃、相關(guān)技術(shù)、競爭格局、上游原料情況、下游主要應(yīng)用市場需求規(guī)模及前景、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場集中度、重點企業(yè)/玩家，企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅(qū)動因素、市場前景預(yù)測，投資策略、主要壁壘構(gòu)成、相關(guān)風險等內(nèi)容。同時北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場專項調(diào)研項目、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項目可行性研究報告、專精特新小巨人認證、市場占有率報告、十五五規(guī)劃、項目后評價報告、BP商業(yè)計劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍白皮書、國家級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)認證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務(wù)。（PHPOLICY:GYF）