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“十五五”半導體存儲器行業(yè)細分市場調(diào)研及投資戰(zhàn)略規(guī)劃報告
北京 ? 普華有策
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“十五五”半導體存儲器行業(yè)細分市場調(diào)研及投資戰(zhàn)略規(guī)劃報告
  • 報告編號 :
    BDTCC251
  • 發(fā)布機構(gòu) :
    普華有策
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全球半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模、技術(shù)演進及企業(yè)競爭態(tài)勢

1、半導體存儲器概況

半導體存儲器作為數(shù)字信息的核心載體,是集成電路產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵分支。該類器件通過磁性材料或半導體等介質(zhì)實現(xiàn)信息存儲,其存儲與讀取機制本質(zhì)上是電荷的存儲與釋放過程。作為電子系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲與運算的基礎載體,半導體存儲器是應用范圍最廣、市場份額占比最高的集成電路基礎產(chǎn)品之一。

根據(jù)斷電后數(shù)據(jù)保持能力的差異,半導體存儲器可分為易失性存儲器與非易失性存儲器兩大類別,具體分類如下:

半導體存儲器分類

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資料來源:普華有策

易失性存儲器又可分為靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(DRAM);非易失性存儲器主要包括快閃存儲器(Flash)、掩膜型只讀存儲器(MROM)和可編程只讀存儲器(PROM/EPROM/EEPROM)??扉W存儲器(Flash)的主流產(chǎn)品為NANDFlash和NORFlash。DRAM與NANDFlash在半導體存儲占據(jù)主導地位。

2、半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模分析

根據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)數(shù)據(jù)顯示,2024年全球半導體市場呈現(xiàn)強勁復蘇態(tài)勢,市場規(guī)模達到6,269億美元。其中,半導體存儲器細分領域表現(xiàn)突出,市場規(guī)模達1,671億美元,占全球半導體市場總規(guī)模的26.65%。市場研究顯示,該增長態(tài)勢預計將在2025年持續(xù),半導體存儲器市場規(guī)模有望攀升至1,894億美元,屆時其占全球半導體市場的比重將進一步提升至27.17%。

2020-2024年全球半導體及半導體存儲器市場規(guī)模

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資料來源:普華有策

3、半導體存儲器行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢

半導體存儲器行業(yè)的技術(shù)迭代呈現(xiàn)出多路徑并行的特點,先進制程研發(fā)與新型架構(gòu)創(chuàng)新成為兩大核心方向。在DRAM領域,制程節(jié)點持續(xù)突破,SK海力士的第六代10納米級(1cnm)DRAM工藝良率已提升至約80%,滿足大規(guī)模量產(chǎn)條件,該工藝將應用于DDR5、LPDDR6、GDDR7等產(chǎn)品。美光則率先出貨1γ(1-gamma)第六代DRAM節(jié)點產(chǎn)品,其16GbDDR5芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率可達9200MT/s,較前代提升15%,功耗降低超過20%,并已應用于EUV光刻技術(shù)。

與之形成對比的是三星在先進DRAM制程上的延遲,其1cnmDRAM良率提升未達預期,導致量產(chǎn)計劃推遲至2025年底,這使得三星在HBM4等高端產(chǎn)品的布局受到一定影響。這種技術(shù)進度的差異正在重塑市場競爭格局,尤其在AI服務器所需的高帶寬內(nèi)存領域更為明顯。

NAND閃存技術(shù)沿著"更高堆疊、更小顆粒"的路徑演進,3D堆疊層數(shù)從100層向200層乃至300層突破。鎧俠和西部數(shù)據(jù)計劃2025年量產(chǎn)300層以上產(chǎn)品,三星則在下一代(V10)閃存芯片中計劃實現(xiàn)420-430層堆疊,并通過獲得長江存儲的"混合鍵合"專利授權(quán)提升封裝技術(shù)。長江存儲已實現(xiàn)128層3DNAND穩(wěn)定量產(chǎn),良率提升至80%以上,192層產(chǎn)品進入試產(chǎn)階段,與國際領先水平的差距縮小至1-2年。

新興存儲技術(shù)在2024年取得顯著進展,其中阻變存儲器(ReRAM)商業(yè)化提速最為明顯。臺積電推出22納米嵌入式ReRAM產(chǎn)品,應用于低功耗無線物聯(lián)網(wǎng)解決方案;國內(nèi)廠商維信諾完成世界首顆采用嵌入式ReRAM技術(shù)的AMOLED顯示驅(qū)動芯片開發(fā),昕原半導體的ReRAM安全存儲產(chǎn)品已在工業(yè)自動化控制領域?qū)崿F(xiàn)商用量產(chǎn)。ReRAM憑借高速度、耐久性強和多位存儲能力等優(yōu)勢,在智能汽車、邊緣AI等領域展現(xiàn)出廣闊應用前景。

磁性存儲器(MRAM)方面,力積電與日本PowerSpin合作推進MRAM量產(chǎn),計劃2029年實現(xiàn)量產(chǎn);臺積電則持續(xù)研發(fā)STT-MRAM解決方案,其16/12納米工藝產(chǎn)品線已獲得車用市場訂單。這些新興技術(shù)雖然短期內(nèi)難以撼動DRAM和NAND的主導地位,但在特定應用場景中正逐步實現(xiàn)替代,推動存儲器市場向多元化方向發(fā)展。

4、市場格局與競爭態(tài)勢

全球半導體存儲器市場呈高度寡頭壟斷格局,DRAM領域三星、SK海力士、美光占近95%份額,2024年三星以11.8%全球半導體市占率居首,另兩家分別以7.7%、4.8%緊隨,均受益于AI相關(guān)需求;NAND閃存市場三星等五家企業(yè)占超90%,2024年一季度三星以33%領先,長江存儲以6%銷售額占比躋身,按容量算達13%,性價比優(yōu)勢凸顯;HBM市場集中度更高,三星、SK海力士占超90%,2024-2025年產(chǎn)能售罄,2025年HBM3e將成主流,售價為傳統(tǒng)DRAM的3-5倍。

中國企業(yè)正打破市場平衡,長鑫存儲實現(xiàn)19nmDRAM量產(chǎn)、研發(fā)17nm,計劃2025年將全球份額提至10%,2024年底量產(chǎn)HBM2并規(guī)劃2026年推HBM3,通富微電加速HBM封裝布局。競爭策略分化明顯,頭部企業(yè)縮減DDR4等傳統(tǒng)產(chǎn)能、擴產(chǎn)DDR5及HBM,三星還出售西安NAND舊設備;中國企業(yè)則聚焦成熟制程規(guī)?;a(chǎn),形成差異化競爭。

行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)有長鑫存儲、長江存儲、通富微電、三星電子、SK海力士(SKHynix)等企業(yè)。

行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)情況

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資料來源:普華有策

“十五五”半導體存儲器行業(yè)細分市場調(diào)研及投資戰(zhàn)略規(guī)劃報告涵蓋行業(yè)全球及中國發(fā)展概況、供需數(shù)據(jù)、市場規(guī)模,產(chǎn)業(yè)政策/規(guī)劃、相關(guān)技術(shù)、競爭格局、上游原料情況、下游主要應用市場需求規(guī)模及前景、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場集中度、重點企業(yè)/玩家,企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅(qū)動因素、市場前景預測,投資策略、主要壁壘構(gòu)成、相關(guān)風險等內(nèi)容。同時北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場專項調(diào)研項目、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項目可行性研究報告、專精特新小巨人認證、市場占有率報告、十五五規(guī)劃、項目后評價報告、BP商業(yè)計劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍白皮書、國家級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)認證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務。(PHPOLICY:GYF)

報告目錄:

第1章 半導體存儲器行業(yè)發(fā)展概況及數(shù)據(jù)說明

1.1 半導體存儲器行業(yè)界定

1.1.1 半導體存儲器的定義

1.1.2 半導體存儲器行業(yè)特征

1.1.3 半導體存儲器的作用意義

1.3 本報告研究范圍界定說明

1.4 半導體存儲器行業(yè)主管單位和監(jiān)管體制

1.5 本報告數(shù)據(jù)來源及統(tǒng)計標準說明

1.5.1 本報告權(quán)威數(shù)據(jù)來源

1.5.2 本報告研究方法及統(tǒng)計標準

 

第2章 “十四五”全球半導體存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢

2.1 全球半導體存儲器行業(yè)發(fā)展歷程

2.2 全球半導體存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2.2.1 全球半導體存儲器行業(yè)發(fā)展特征

2.2.2 全球半導體存儲器行業(yè)需求現(xiàn)狀

2.2.3 全球半導體存儲器行業(yè)市場競爭格局

2.3 全球半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模分析

2.4 全球半導體存儲器行業(yè)區(qū)域發(fā)展

2.4.1 全球半導體存儲器區(qū)域發(fā)展格局

2.4.2 全球半導體存儲器重點區(qū)域市場

1、美國

2、歐洲

3、日韓

4、其他地區(qū)

2.5 全球半導體存儲器行業(yè)市場前景預測

2.6 全球半導體存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢

 

第3章  “十四五”中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及進出口情況

3.1 中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展歷程

3.2 中國半導體存儲器行業(yè)技術(shù)進展

3.2.1 半導體存儲器行業(yè)工藝流程

3.2.2 中國半導體存儲器行業(yè)研發(fā)投入

1、行業(yè)整體情況

2、代表性企業(yè)情況

3.2.3 中國半導體存儲器行業(yè)專利申請情況

1、中國半導體存儲器行業(yè)專利申請

2、中國半導體存儲器行業(yè)專利公開

3、中國半導體存儲器行業(yè)熱門申請人

4、中國半導體存儲器行業(yè)熱門技術(shù)

3.3 中國半導體存儲器行業(yè)企業(yè)數(shù)量規(guī)模

3.4 中國半導體存儲器行業(yè)市場供給情況

3.5 中國半導體存儲器行業(yè)對外貿(mào)易狀況

3.5.1 半導體存儲器進出口貿(mào)易總體情況

3.5.2 半導體存儲器進口貿(mào)易狀況

1、半導體存儲器進口貿(mào)易規(guī)模

2、半導體存儲器進口價格水平

3、半導體存儲器進口產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

3.5.3 半導體存儲器出口貿(mào)易狀況

1、半導體存儲器出口貿(mào)易規(guī)模

2、半導體存儲器出口價格水平

3、半導體存儲器出口產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

3.5.4 半導體存儲器對外貿(mào)易環(huán)境

3.6 中國半導體存儲器行業(yè)市場需求分析

3.7 中國半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模體量

3.8 中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展痛點

 

第4章 “十四五”中國半導體存儲器行業(yè)競爭格局及五力模型分析

4.1 中國半導體存儲器競爭者入場及戰(zhàn)略布局

4.2 中國半導體存儲器行業(yè)市場競爭格局

4.3 中國半導體存儲器行業(yè)波特五力模型分析

4.3.1 半導體存儲器行業(yè)供應商的議價能力

4.3.2 半導體存儲器行業(yè)消費者的議價能力

4.3.3 半導體存儲器行業(yè)新進入者威脅分析

4.3.4 半導體存儲器行業(yè)替代品威脅分析

4.3.5 半導體存儲器行業(yè)現(xiàn)有企業(yè)競爭情況

4.3.6 半導體存儲器行業(yè)競爭狀態(tài)總結(jié)

 

第5章 “十四五”中國半導體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈全景及配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展

5.1 中國半導體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)梳理

5.2 中國半導體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圖譜

5.3 半導體存儲器上游:原材料

5.3.1 A材料

1、A行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2、A行業(yè)供給情況

3、A行業(yè)發(fā)展趨勢

5.3.2 B材料

1、B行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2、B行業(yè)供給情況

3、B行業(yè)發(fā)展趨勢

……

5.4 配套產(chǎn)業(yè)布局對半導體存儲器行業(yè)的影響總結(jié)

 

第6章 “十四五”中國半導體存儲器行業(yè)細分產(chǎn)品市場分析

6.1 半導體存儲器行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特征分析

6.1.1 行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特征

6.1.2 行業(yè)產(chǎn)品發(fā)展概況

6.2 半導體存儲器細分市場:A產(chǎn)品

6.2.1 A產(chǎn)品概況

6.2.2 A產(chǎn)品市場競爭格局

6.2.3 A產(chǎn)品發(fā)展趨勢

6.3 半導體存儲器細分市場:B產(chǎn)品

6.3.1 B產(chǎn)品市場概況

6.3.2 B產(chǎn)品市場競爭格局

6.3.3 B產(chǎn)品發(fā)展趨勢

6.4 半導體存儲器細分市場:C產(chǎn)品

6.4.1 C產(chǎn)品概述

6.4.2 C產(chǎn)品市場競爭格局

6.4.3 C產(chǎn)品發(fā)展趨勢

 

第7章 “十四五”中國半導體存儲器行業(yè)細分應用市場分析

7.1 中國半導體存儲器行業(yè)領域分布

7.2 半導體存儲器細分應用——A行業(yè)

7.2.1 A行業(yè)發(fā)展狀況

7.2.2 A行業(yè)領域半導體存儲器應用概述

7.2.3 A行業(yè)領域半導體存儲器市場現(xiàn)狀

7.2.4 A行業(yè)領域半導體存儲器發(fā)展趨勢

7.3 半導體存儲器細分應用——B行業(yè)

7.3.1 B行業(yè)發(fā)展狀況

7.3.2 B行業(yè)領域半導體存儲器應用概述

7.3.3 B行業(yè)領域半導體存儲器市場現(xiàn)狀

7.3.4 B行業(yè)領域半導體存儲器趨勢

7.4 半導體存儲器細分應用——C行業(yè)

7.4.1 C行業(yè)發(fā)展狀況

7.4.2 C行業(yè)領域半導體存儲器應用概述

7.4.3 C行業(yè)領域半導體存儲器市場現(xiàn)狀

7.4.4 C行業(yè)領域半導體存儲器需求潛力

7.6 半導體存儲器細分應用:其他

7.7 中國半導體存儲器行業(yè)細分市場戰(zhàn)略地位分析

 

第8章  “十四五”中國半導體存儲器產(chǎn)業(yè)區(qū)域格局發(fā)展前景

8.1 中國半導體存儲器企業(yè)數(shù)量區(qū)域分布

8.2 中國半導體存儲器行業(yè)區(qū)域發(fā)展格局

8.3 中國半導體存儲器行業(yè)部分省市戰(zhàn)略地位分析

8.4 華東地區(qū)半導體存儲器行業(yè)發(fā)展概況分析

8.4.1 華東地區(qū)半導體存儲器行業(yè)發(fā)展概況分析

8.4.2 華東地區(qū)半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模狀況

8.4.3 華東地區(qū)半導體存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢及前景分析

8.5 華南地區(qū)(廣東?。┌雽w存儲器行業(yè)發(fā)展概況分析

8.5.1 華南地區(qū)半導體存儲器行業(yè)發(fā)展概況分析

8.5.2 華南半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模狀況

8.5.3 華南地區(qū)半導體存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢及前景分析

 

第9章 全球及中國半導體存儲器重點企業(yè)調(diào)研

9.1 全球半導體存儲器企業(yè)案例分析

9.1.1 A公司

1、企業(yè)基本信息

2、企業(yè)經(jīng)營情況

3、企業(yè)業(yè)務架構(gòu)及半導體存儲器業(yè)務布局

9.1.2 B公司

1、企業(yè)基本信息

2、企業(yè)經(jīng)營情況

3、企業(yè)業(yè)務架構(gòu)及半導體存儲器業(yè)務布局

9.1.3 C公司

1、企業(yè)基本信息

2、企業(yè)經(jīng)營情況

3、企業(yè)業(yè)務架構(gòu)及半導體存儲器業(yè)務布局

9.2 中國半導體存儲器企業(yè)案例分析

9.2.1 A公司

1、企業(yè)發(fā)展簡況分析

2、企業(yè)經(jīng)營情況分析

3、企業(yè)業(yè)務和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

4、企業(yè)研發(fā)及技術(shù)水平

5、企業(yè)市場渠道及網(wǎng)絡分析

6、企業(yè)核心競爭力分析

9.2.2 B公司

1、企業(yè)發(fā)展簡況分析

2、企業(yè)經(jīng)營情況分析

3、企業(yè)業(yè)務和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

4、企業(yè)研發(fā)及技術(shù)水平

5、企業(yè)市場渠道及網(wǎng)絡分析

6、企業(yè)核心競爭力分析

9.2.3 C公司

1、企業(yè)發(fā)展簡況分析

2、企業(yè)經(jīng)營情況分析

3、企業(yè)業(yè)務和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

4、企業(yè)研發(fā)及技術(shù)水平

5、企業(yè)市場渠道及網(wǎng)絡分析

6、企業(yè)核心競爭力分析

9.2.4 D公司

1、企業(yè)發(fā)展簡況分析

2、企業(yè)經(jīng)營情況分析

3、企業(yè)業(yè)務和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

4、企業(yè)研發(fā)及技術(shù)水平

5、企業(yè)市場渠道及網(wǎng)絡分析

6、企業(yè)核心競爭力分析

9.2.5 E公司

1、企業(yè)發(fā)展簡況分析

2、企業(yè)經(jīng)營情況分析

3、企業(yè)業(yè)務和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

4、企業(yè)研發(fā)及技術(shù)水平

5、企業(yè)市場渠道及網(wǎng)絡分析

6、企業(yè)核心競爭力分析

9.2.6 重點企業(yè)市場占有率分析

 

第10章  “十四五”中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展環(huán)境及SWOT分析

10.1 中國半導體存儲器行業(yè)經(jīng)濟(Economy)環(huán)境分析

10.1.1 中國宏觀經(jīng)濟發(fā)展現(xiàn)狀

1、中國GDP及增長情況

2、中國三次產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)

3、中國居民消費價格(CPI)

4、中國生產(chǎn)者價格指數(shù)(PPI)

5、中國工業(yè)經(jīng)濟增長情況

6、中國固定資產(chǎn)投資情況

10.1.2 中國宏觀經(jīng)濟發(fā)展展望

10.1.3 半導體存儲器行業(yè)發(fā)展與宏觀經(jīng)濟相關(guān)性分析

10.2 中國半導體存儲器行業(yè)社會(Society)環(huán)境分析

10.2.1 中國半導體存儲器行業(yè)社會環(huán)境分析

1、中國人口規(guī)模及增速

2、中國城鎮(zhèn)化水平變化

3、中國勞動力人數(shù)及人力成本

4、中國居民人均消費支出及結(jié)構(gòu)

5、中國居民消費升級演進

10.2.2 社會環(huán)境對半導體存儲器行業(yè)發(fā)展的影響總結(jié)

10.3 中國半導體存儲器行業(yè)政策(Policy)環(huán)境分析

10.3.1 國家層面半導體存儲器行業(yè)政策規(guī)劃匯總及解讀

10.3.2 政策環(huán)境對半導體存儲器行業(yè)發(fā)展的影響總結(jié)

10.4 中國半導體存儲器行業(yè)SWOT分析

 

第11章  “十五五”中國半導體存儲器行業(yè)市場前景及發(fā)展趨勢預測

11.1 中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展?jié)摿υu估

11.2 中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展前景預測

11.3 中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢洞悉

 

第12章  “十五五”中國半導體存儲器行業(yè)投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略及建議

12.1 中國半導體存儲器行業(yè)進入壁壘分析

12.1.1資金壁壘

12.1.2技術(shù)及自主創(chuàng)新壁壘

12.1.3品牌壁壘

12.1.4專業(yè)人才壁壘

12.1.5質(zhì)量和服務壁壘

12.2 中國半導體存儲器行業(yè)投資風險預警

12.2.1 政策風險

12.2.2 行業(yè)技術(shù)風險

12.2.3 行業(yè)供求風險分析

12.3.4 原材料價格風險

12.3.5 宏觀經(jīng)濟波動風險

12.3 中國半導體存儲器行業(yè)投資機會分析

12.3.1 半導體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)投資機會

12.3.2 半導體存儲器行業(yè)區(qū)域市場投資機會

12.3.4 半導體存儲器行業(yè)新興技術(shù)投資機會

12.4 中國半導體存儲器行業(yè)投資價值評估

12.5 中國半導體存儲器行業(yè)投資策略建議

12.6 中國半導體存儲器行業(yè)可持續(xù)發(fā)展建議

 


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